直径300mmのSiC単結晶と基板加工に成功

事実

• 直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長と基板加工に成功したと発表しました。
• 現在は150mm（6インチ）を主力に、200mm（8インチ）のエピウェハーも出荷を開始しています。300mm基板の量産時期は示されていません。

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